也是为什么说十八纳米工艺节点有些尴尬的原因，因为用来生产十八纳米的光刻机，它也能用来生产十四纳米。
同样的设备，我为啥不生产十四纳米工艺的芯片？
但是再往下的七纳米，这就需要使用四重曝光，这对套刻精度提出了更进一步的要求，常规来说需要达到二点五纳米的套刻精度，如此才能够让良率稳定在一定的水准。
如果套刻精度不足的光刻机，强行采用四重曝光生产七纳米芯片，良率会非常低，成本非常高昂，除非特殊情况，不然没人这么干的。
而海湾科技目前的目标，就是进一步缩小套刻精度，争取做到二点五纳米的水准，然后满足七纳米的生产需求。
不过这也挺难的，这可是实打实的物理极限的提升，每一纳米的套刻精度提升都是无比艰难的。
当然，二点五纳米套刻精度的光刻机，现在海湾科技还搞不出来，甚至三点五纳米套刻精度的光刻机，现在也磕磕绊绊，还得继续琢磨，估计下半年才能小批量供货测试，大规模量产使用，那都得明年去了。
但是，现在的五点五纳米套刻精度的HDUV-400光刻机，却是已经成熟可用了……智云微电子那边都用这款光刻机，大规模投产二十八纳米工艺的芯片了。
如果是用来生产三十二纳米工艺，四十纳米工艺或四十五纳米工艺这些更成熟的工艺，那就更不用说了，小菜一碟！
甚至都可以来上一句性能过剩。
智云微电子那边，开始使用HDUV-400光刻机进行投产，这个消息，让业内不少关注国产光刻机的其他芯片厂商看了大为动心。
他们也想要这种便宜好货，来大幅度降低先进工艺的资金投入啊。
海湾科技的光刻机，虽然整体性能差了点，比不过ASML的光刻机，但是人家卖的便宜啊，不仅仅售价便宜，后续的维护费用也便宜。
这就让很多资金不是很充裕的晶圆厂很动心！
反正他们也没什么野心搞更先进的双重曝光，玩什么十八纳米，十四纳米工艺，他们就想玩个四十五纳米工艺，撑死了再搞个二十八纳米工艺。
这个海湾科技的HDUV-400光刻机，已经很充分了。
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不久后，中芯方面也随后

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