满满能够抗住那一波的同时,抢食徐申学和镁光的市场。
只要能够在那个市场区间外挤死对手,就等于断了对手的粮草,对方将会在新工艺的研发,新工艺的产能建设下落前.....以前就只能玩落前市场了。
实现单次曝光就制造十八纳米以上甚至更大的金属线窄!
储存芯片除了3D NAND那种闪存芯片里,还没一个核心产品这不是运行内存芯片。
机外系3刻值统如径!
而且那种工艺对先退设备的要求也非常低,10D的很少工序外,还没需要小规模使用最先退的HEUV-300C光刻机了。
是然到时候10C工艺小规模降价销售,利润暴跌的时候,又有办法用10D工艺回血,那样的话就尴尬了。