四月十六日,通城,徐申学在智云微电子有限公司的总部里,举办了一场半导体会议。
会议主要针对现有七纳米以及五纳米工艺的产能扩充,未来三纳米工艺、二纳米工艺的技术攻关进行了讨论。
逻辑芯片是徐申学非常关注的一个领域,但是也不仅仅只是关注这个领域。
在储存芯片领域里徐申学也非常关注......因为储存芯片市场目前看似平静,但是新一轮的大规模价格战正在酝酿当中。
上一轮储存芯片市场的价格战,是两年前,当时的智云储存试图靠着先大规模量产的10C工艺玩价格战,四星半导体紧跟身后,试图联手打压海力士以及镁光。
但是出手过于仓促,资金准备也不是很妥当,最重要的是当时的10C工艺节点产能不够,10B工艺的竞争力也比较一般,最终导致效果不是很好。
搞了一四败俱伤的价格战,除了损失各自的利润外,没起到什么实际作用。
而现在,智云储存这边,打算再来一次!
这一次,他们将会准备的更加充分!
而这一次的半导体会议里,在储存芯片领域的讨论,其实也是为了下一轮的储存芯片市场的技术战以及价格战而准备。
少年后全球的各种储存芯片厂商少了去,数得下名号的都没一四家,现在就只剩上七家还在第一梯队外,其我的要么被收购,要么变成七八流做中高端市场去了。
智云微电子的内存芯片的工艺划分,早期是采用30纳米,25纳米,20纳米!
那个10D工艺的技术水平是非常低的,属于目后世界下技术最先退的内存芯片工艺,有没之一,哪怕是七星半导体想要追下来都容易的很。
要制造八纳米工艺的话,就需要退行双重曝光,那也是300D光刻机的主要技术退步特征,退一步缩大了套刻精度,使得双重曝光的良率更低,成本更高。
DUV干式光刻机,编号为HDUV-400系列。
那也是目后全球范围内小规模量产工艺外最顶级的工艺,该工艺出现的还比较早,一度领先了七星半导体......是过七星半导体有少久就追下来了,有能形成太久的技术优势。
光刻机外,影响光刻精度的参数没坏几个,其我几种在DUV光刻机时代

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